La RAM es una memoria volátil, un tipo de memoria temporal que pierde sus datos cuando se queda sin energía. Se utiliza para almacenar datos temporalmente.
La denominación “de Acceso aleatorio” surgió para diferenciarlas de las memoria de acceso secuencial, debido a que en los comienzos de la computación, las memorias principales (o primarias) de las computadoras eran siempre de tipo RAM y las memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial (cintas o tarjetas perforadas). Es frecuente pues que se hable de memoria RAM para hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero actualmente la denominación no es precisa.
1969: RAM basada en semiconductores de silicio
Estas RAM fueron lanzadas por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para 1970 se presentó una memoria DRAM de 1 Kibibyte, referencia 1103 que fue la primera en ser comercializada con éxito. La 1103 era primitiva, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos (cintas magnéticas).
1973: Multiplexación
En este año se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de las direcciones de memoria. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso principal, impedía la miniaturización, entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión.
Módulos de memoria tipo SIPP instalados directamente sobre la placa base.
Módulos formato SIMM de 30 y 72 pines.
Los últimos fueron utilizados con integrados tipo EDO-RAM.
A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:
1990: FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)
Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel 486,[4] se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar todas las casas en una calle: después de la primera vez no seria necesario decir el número de la calle únicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de acceso de 70 ó 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y los primeros Pentium.
Para sistemas basados en procesadores Pentium con velocidades de bus de 66Mhz (procesadores a 100, 133, 166 y 200Mhz) es necesario instalar memorias de 60 nanosegundos para no generar estados de espera de la CPU.
Velocidad de transferencia: 200 MB/s
1995: EDO-RAM (Extended Data Output RAM)
Con tiempos de accesos de 40 o 30 ns suponía una mejora sobre su antecesora la FPM. La EDO, también es capaz de enviar direcciones contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la información de la columna anterior, dando como resultado una eliminación de estados de espera (permite empezar a introducir nuevos datos mientras los anteriores están saliendo), manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.
Velocidad de transferencia: 320 MB/s
1997: BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)
Fue competidora de la SDRAM. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj (lee los datos en ráfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posición determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos), de manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al mercado (en la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP), dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrónicos que agregan funcionalidades distintas como señales de reloj (síncronas).
Al igual que la EDO RAM, la limitación de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz.
En adelante, la tecnología de memoria usaría una señal de sincronización para realizar las funciones de lectura-escritura de manera que siempre esta sincronizada con un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM, EDO y BEDO que eran asíncronas. Hace más de una década toda la industria se decantó por las tecnologías síncronas, ya que permiten construir integrados que funcionen a una frecuencia superior a 66 Mhz.
Velocidad de transferencia: Desde 533 MB/s hasta 1066 MB/s
1997: SDR SDRAM
Memoria RAM dinámica de acceso síncrono de tasa de datos simple. La diferencia principal radica en que este tipo de memoria se conecta al reloj del sistema y está diseñada para ser capaz de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Este tipo de memoria incluye tecnología InterLeaving, que permite que la mitad del módulo empiece un acceso mientras la otra mitad está terminando el anterior.
Se presentan en módulos DIMM de 168 contactos en ordenadores de sobremesa y en módulos SO-DIMM (formato miniaturizado de DIMM) de 72, 100, 144, o 200 contactos en el caso de los ordenadores portátiles.
Está muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas.
Tipos disponibles:
PC66 (1997)
Velocidad de transferencia:
La velocidad de bus de memoria es de 66 MHz, temporización de 15 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 533 MB/s.
PC100 (1998)
Velocidad de transferencia:
La velocidad de bus de memoria es de 125 MHz, temporización de 8 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 800 MB/s.
PC133 (1999)
Velocidad de transferencia:
La velocidad de bus de memoria es de 133 MHz, temporización de 7,5 ns y ofrece tasas de transferencia de hasta 1066 MB/s.
